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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleTSM120N06LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

TSM120N06LCR RLG - Taiwan Semiconductor Corporation

Fabricant Modèle de produit
TSM120N06LCR RLG
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Allelco Modèle de produit
32D-TSM120N06LCR RLG
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 54A 8PDFN
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
TSM120N06LCR.pdf
État RoHS
En stock: 25273

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques TSM120N06LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation - TSM120N06LCR RLG Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Taiwan Semiconductor Corporation - TSM120N06LCR RLG

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Taiwan Semiconductor  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-PDFN (5x6)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 10A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 69W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2116 pF @ 30 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 36.5 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 54A (Tc)  
Numéro de produit de base TSM120  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Taiwan Semiconductor Corporation TSM120N06LCR RLG

Attributs du produit TSM120N06LCR RLG TSM120N06LCS RLG TSM126CX RFG TSM120N06LCP
Modèle de produit TSM120N06LCR RLG TSM120N06LCS RLG TSM126CX RFG TSM120N06LCP
Fabricant Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2116 pF @ 30 V 2193 pF @ 30 V 51.42 pF @ 25 V 2118 pF @ 30 V
Package / Boîte 8-PowerTDFN 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fonction FET - - Depletion Mode -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Séries - - - -
Package composant fournisseur 8-PDFN (5x6) 8-SOP SOT-23 TO-252, (D-Pak)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 0V, 10V 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 600 V 60 V
Numéro de produit de base TSM120 TSM120 TSM126 TSM120
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 1V @ 8µA 2.5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 36.5 nC @ 10 V 37 nC @ 10 V 1.18 nC @ 4.5 V 37 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 54A (Tc) 23A (Tc) 30mA (Tc) 10A (Ta), 70A (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 10A, 10V 12mOhm @ 10A, 10V 800Ohm @ 16mA, 10V 12mOhm @ 10A, 10V
Dissipation de puissance (max) 69W (Tc) 12.5W (Tc) 500mW (Ta) 2.6W (Ta), 125W (Tc)

Fiche technique TSM120N06LCR RLG PDF

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Feuilles de données
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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